碳化硅光源的电阻随温度变化研究


碳化硅的导电性能在不同的温度下是不同的,在一定温度范围内与金属的电阻温度特性相反。图1-15为高纯度碳化硅的电阻率随温度变化的情况。工业碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。温度较低时温度上升电阻下降,约在1500℃时电阻开始逐渐增大,2600℃时接近常温下的电阻,之后随温度升高电阻又趋于增大。
常温下,碳化硅是一种半导体,导电性能在导体和绝缘体之间,电阻率在102~1012Ω·cm范围内,并随晶体中引入杂质的种类和数量的不同而变化。对碳化硅导电性能影响最大的杂质是铝、氮和硼。含铝较多的碳化硅导电性能显著增大。

碳化硅的导电性随电场强度的增大而迅速提高,且具有非线性变化的特点,可用关系式:I=C·Vα。式中:I——电流,C——材料常数,V——电压,α——非线性指数。
碳化硅的伏安特性曲线

点击数: 2165    打印  添加到收藏   发布时间: 2015-01-19




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